副教授&副研究员

  • 陈满妮副研究员
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    专业方向:宽禁带半导体材料与器件
        
研究领域或方向

主要从事宽禁带半导体材料制备及其日盲紫外、X射线探测与成像应用等方面的研究。


教育工作经历

2025年3月至今,太阳集团www0638,0638太阳集团,特聘副研究员

2022年8月-2025年2月,中山大学,电子与信息工程学院,博士后,助理研究员

2014年8月-2018年7月,赣南师范大学科技学院,数学与信息科学系,讲师

2013年4月-2014年7月,上海诺诚电气股份有限公司,医疗器械领域,研发工程师

2018年9月-2022年6月,中山大学,微电子学与固体电子学,博士

2010年9月-2013年3月,杭州电子科技大学,电子与通信工程,硕士

2006年9月-2010年7月,赣南师范大学,电子信息工程,学士


科研项目经历


1、国家自然科学基金青年科学基金项目,62301620,钙钛矿/氧化镓异质结真空平板X射线探测器研究,2024/01-2026/12,在研,主持

2、国家重点研发计划项目,2022YFA1204202,高灵敏宽动态范围平板X射线探测器研制,2023/05-2028/04,在研,项目骨干

3、广东省重点研发计划,2023B0101200013,高效日盲紫外探测材料及面阵器件研制,2024/01-2026/12,在研,项目骨干

4、国家重点研发计划项目,2016YFA0202000,新型纳米冷阴极平板X射线源和高灵敏度探测器件及其CT图像重建方法研究,2018/08-2022/06,已结题,参加


代表性论文

[1] Chen, M.; Zhang, Z.; Wen, B.; Zhan, R.; Wang, K.; Deng, S.; Xie, J.*; Chen, J.*, Low Dark Current and High Stability X-ray Detector Based on FAPbI3/Ga2O3 Heterojunction. Journal of Alloys and Compounds 2023, 941.

[2] Chen, M.; Zhang, Z.; Lv, Z.; Zhan, R.; Chen, H.; Jiang, H.; Chen, J.*, Polycrystalline Ga2O3 Nanostructure-Based Thin Films for Fast-Response Solar-Blind Photodetectors. ACS Applied Nano Materials 2022, 1, 351–360.

[3] Chen, M.; Zhang, Z.; Zhan, R.; She, J.; Deng, S.; Xu, N.; Chen, J.*, Fast-Response X-ray Detector Based on Nanocrystalline Ga2O3 Thin Film Prepared at Room Temperature. Applied Surface Science 2021, 554, 149619.

[4] Zhang, Z.; Chen, M.; Zhan, R.; Chen, H.; Wang, K.; Deng, S.; Chen, J.*, Fabrication of Nanocrystalline Ga2O3-NiO Heterojunctions for Large-Area Low-Dose X-ray Imaging. Applied Surface Science 2022, 604.

[5] Zhang, Z.; Chen, M.; Wang, C.; Wang, K.; Deng, S.; Chen, J.*, Highly Sensitive Direct-Conversion Vacuum Flat-Panel X-Ray Detectors Formed by Ga2O3-ZnO Heterojunction Cold Cathode and ZnS Target and their Photoelectron Multiplication Mechanism. Advanced Materials Interfaces 2022, 2102268.

[6] Zhang, Z.; Chen, M.; Bai, X.; Wang, K.; Chen, H.; Deng, S.; Chen, J.*, Sensitive Direct-Conversion X-ray Detectors Formed by ZnO Nanowire Field Emitters and β-Ga2O3 Photoconductor Targets with an Electron Bombardment Induced Photoconductivity Mechanism. Photonics Research 2021, 9, 2420-2428.

[7] Zhang, Z.; Chen, Z.; Chen, M.; Wang, K.; Chen, H.; Deng, S.; Wang, G.; Chen, J.*, epsilon-Ga2O3 Thin Film Avalanche Low-Energy X-Ray Detectors for Highly Sensitive Detection and Fast-Response Applications. Advanced Materials Technologies 2021, 6, 2001094.

[8] Bai, X. P.; Zhang, Z. P.; Chen, M. N.; Wang, K.; She, J. C.; Deng, S. Z.; Chen, J.*, Theoretical Analysis and Verification of Electron-Bombardment-Induced Photoconductivity in Vacuum Flat-Panel Detectors. Journal of Lightwave Technology 2021, 39, 2618-2624.

[9] Wen, B.;  Song, G. C.;  Wang, C. Y.;  Liu, Q.;  Ou, Z. R.;  Kang, S.;  Chen, M. N.;  Zhang, Z. P.;  Deng, S. Z.; Chen, J.*, Enhanced field electron emission of formamidine lead triiodide induced by strong electric field assisted morphology reconstruction. Applied Surface Science 2025, 689.


授权发明专利

[1] 赵治栋骆懿陈满妮,费小阳,应红华,一种宫缩压力监测系统及其动态压力校准方法,中国发明专利,ZL 201210320824.8。


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